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晶振外殼在生產(chǎn)過程中應(yīng)注意的事項(xiàng)及設(shè)計(jì)原理

Timer: 2023-03-27 09:24:32 Author:本站 Click:149

一、晶振外殼在生產(chǎn)過程中應(yīng)注意的事項(xiàng)

隨著電子設(shè)備的速度適宜發(fā)展,晶振外殼作為電子設(shè)備的維修包裝,材料的種類也很普遍,晶振外殼廠家主要采用基本pvd鍍膜工藝,主要是采用預(yù)鍍和電鍍流程,晶振加工工藝是將活性鍍膜放入食用鹽和硫酸溶液中進(jìn)行(以實(shí)際報(bào)告為主)化學(xué)處理,可以加工成各種形狀,金黃、彩色、灰黑色等亮度高、種類多的系列產(chǎn)品。

留心厚道較高、懸壁較長、傾斜較大、壁厚差距較大、外形怪異等的、細(xì)齒、長腿、弧形面、傾斜面、張口、聚焦點(diǎn)等處受力情況,防止部分或斑點(diǎn)變形、扭扭、螺旋式等缺陷產(chǎn)生。

晶振外殼廠因硅化毛條有阻熱傳出的實(shí)際效果,裝飾設(shè)計(jì)表面要求高的晶振必然要多前后多旋轉(zhuǎn),便于排熱勻稱,減少因排熱不勻晶粒大小而引起的橫紋亮斑缺陷,特別是大波紋面、壁厚晶振要注意。

上料、搬運(yùn)、拉伸全過程中不可相互摩擦、牽扯、疊層、擁擠、纏繞在一起,應(yīng)彼此預(yù)置確定的間距。對(duì)于容易變形、進(jìn)給長度的晶振,應(yīng)立即進(jìn)行緊急處理,需要時(shí)相互進(jìn)行維修緊急處理。

晶振外殼的拉伸在晶振冷卻50度以下才能移到拉伸架上進(jìn)行拉伸工作,溫度過高即會(huì)導(dǎo)致拉伸過程中被硅化的毛條,因?yàn)闊o法解決晶振的熱應(yīng)力而在瞬間前后呈現(xiàn)坎坷、扭動(dòng)、作用不良等肯定性廢料。

拉伸量的操縱在1%左右不變,并且要注意拉伸量過大造成頭里尾偏移的原因,表面波浪形的麻花(魚鱗)痕,拉伸強(qiáng)度低,強(qiáng)度偏高易發(fā)脆(塑性變形小)。晶振外殼廠家在生產(chǎn)過程中若產(chǎn)品的拉伸量過小,就會(huì)使的拉伸強(qiáng)度和強(qiáng)度略有降低,甚至不能及時(shí)(熱處理)提較,易彎曲(別名大砍刀彎)。

晶振殼體的拉拔形狀、變形等參數(shù)的控制,應(yīng)采用適合的墊片和適合的具體方法。晶振制品廠提醒同行特別注意開口料、弧形料、懸壁料、及其凹凸不平形狀的,注意拉伸墊片的使用。

二、晶振外殼機(jī)械裝置設(shè)計(jì)原理與依據(jù)

晶振外殼缺陷檢測(cè)系統(tǒng)主要由硬件平臺(tái)、軟件平臺(tái)、外圍控制機(jī)構(gòu)以及輔助裝置構(gòu)成,而硬件平臺(tái)主要包括機(jī)械裝置與氣動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)。系統(tǒng)中機(jī)械裝置與氣動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)非常緊湊,相互之間的協(xié)調(diào)對(duì)系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)顯得異常重要。在機(jī)械裝置結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)過程中,考慮氣動(dòng)執(zhí)行元件的尺寸外型與運(yùn)動(dòng)情況。

該系統(tǒng)的功能是實(shí)時(shí)檢測(cè)生產(chǎn)線上的晶振外殼的缺陷,但流水線上產(chǎn)品的生產(chǎn)速度很快,都是大批量生產(chǎn)。而該系統(tǒng)每次只能檢測(cè)1個(gè)產(chǎn)品,由于系統(tǒng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)動(dòng)作實(shí)現(xiàn)需要確定的時(shí)間,因此只能周期性采集樣品進(jìn)行檢測(cè)。機(jī)械裝置的功能實(shí)現(xiàn)過程如下:從晶振外殼的生產(chǎn)流水線引導(dǎo)過來的產(chǎn)品不斷順著引導(dǎo)機(jī)構(gòu)往下傳送,如果裝置處于未采樣狀態(tài),即電磁鐵左端通電,采樣導(dǎo)槽上擺,則晶振外殼,該處設(shè)計(jì)為斜槽,便于產(chǎn)品自動(dòng)下落,此處可以放置一個(gè)回收裝置,回收那些沒有檢測(cè)過的產(chǎn)品;如果裝置處于采樣狀態(tài),即電磁鐵右端通電,采樣導(dǎo)槽回落,則晶振外殼將經(jīng)過采樣導(dǎo)槽落到振動(dòng)導(dǎo)槽上。在基于偏心電機(jī)的振動(dòng)源的驅(qū)動(dòng)下,振動(dòng)導(dǎo)槽以確定的頻率振動(dòng),晶振外殼在不斷的振動(dòng)過程中逐步移動(dòng)到振動(dòng)導(dǎo)槽的后端—水平定位槽,晶振外殼在水平定位槽中狀態(tài)只能是底面朝上或頂面朝上,這2種狀態(tài)就是后續(xù)圖像采集的目標(biāo)狀態(tài)。


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