(一)、晶振外殼機(jī)械裝置設(shè)計(jì)原理與依據(jù)

晶振外殼缺陷檢測(cè)系統(tǒng)主要由硬件平臺(tái)、軟件平臺(tái)、外圍控制機(jī)構(gòu)以及輔助裝置構(gòu)成，而硬件平臺(tái)主要包括機(jī)械裝置與氣動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)。系統(tǒng)中機(jī)械裝置與氣動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)非常緊湊，相互之間的協(xié)調(diào)對(duì)系統(tǒng)功能的實(shí)現(xiàn)顯得異常重要。在機(jī)械裝置結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)過(guò)程中，考慮氣動(dòng)執(zhí)行元件的尺寸外型與運(yùn)動(dòng)情況。

該系統(tǒng)的功能是實(shí)時(shí)檢測(cè)生產(chǎn)線上的晶振外殼的缺陷，但流水線上產(chǎn)品的生產(chǎn)速度很快，都是大批量生產(chǎn)。而該系統(tǒng)每次只能檢測(cè)1個(gè)產(chǎn)品，由于系統(tǒng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)動(dòng)作實(shí)現(xiàn)需要確定的時(shí)間，因此只能周期性采集樣品進(jìn)行檢測(cè)。機(jī)械裝置的功能實(shí)現(xiàn)過(guò)程如下：從晶振外殼的生產(chǎn)流水線引導(dǎo)過(guò)來(lái)的產(chǎn)品不斷順著引導(dǎo)機(jī)構(gòu)往下傳送，如果裝置處于未采樣狀態(tài)，即電磁鐵左端通電，采樣導(dǎo)槽上擺，則晶振外殼，該處設(shè)計(jì)為斜槽，便于產(chǎn)品自動(dòng)下落，此處可以放置一個(gè)回收裝置，回收那些沒(méi)有檢測(cè)過(guò)的產(chǎn)品；如果裝置處于采樣狀態(tài)，即電磁鐵右端通電，采樣導(dǎo)槽回落，則晶振外殼將經(jīng)過(guò)采樣導(dǎo)槽落到振動(dòng)導(dǎo)槽上。在基于偏心電機(jī)的振動(dòng)源的驅(qū)動(dòng)下，振動(dòng)導(dǎo)槽以確定的頻率振動(dòng)，晶振外殼在不斷的振動(dòng)過(guò)程中逐步移動(dòng)到振動(dòng)導(dǎo)槽的后端—水平定位槽，晶振外殼在水平定位槽中狀態(tài)只能是底面朝上或頂面朝上，這2種狀態(tài)就是后續(xù)圖像采集的目標(biāo)狀態(tài)。

(二)、晶振外殼的尺寸特點(diǎn)

晶體振蕩器被廣泛用于各種模擬和數(shù)字電路中作為基準(zhǔn)時(shí)鐘源，其質(zhì)量的好壞直接影響到電路工作狀況，而晶振外殼(也稱(chēng)晶振帽)沖壓品質(zhì)是影響晶振性能的主要因素之一。晶振外殼采用沖床連續(xù)沖壓成型，經(jīng)大量觀察和分析發(fā)現(xiàn)，主要缺陷有內(nèi)底面與頂面的凹坑、內(nèi)底面與頂面的劃痕，側(cè)面裂口和側(cè)面撓曲。

之前的研究者針對(duì)前3種缺陷，應(yīng)用計(jì)算機(jī)視覺(jué)檢測(cè)技術(shù)設(shè)備了晶振外殼缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，通過(guò)圖像的分析和處理判斷是否有缺陷，并且設(shè)計(jì)了晶振外殼缺陷檢測(cè)系統(tǒng)的硬件平臺(tái)。幾基本實(shí)現(xiàn)晶振外殼缺陷的在線自動(dòng)檢測(cè)，而且具有很好的檢測(cè)準(zhǔn)確性。但是對(duì)于撓曲缺陷，由于整個(gè)外殼尺寸比較??；小撓曲肉眼很難發(fā)現(xiàn)和判斷。而且這種撓曲缺陷與面缺陷有很大區(qū)別，側(cè)面和頂面圖像上不能反映撓曲缺陷的存在，因而以前的方法對(duì)該撓曲缺陷檢測(cè)是無(wú)效的。本文在分析原有的檢測(cè)方法的基礎(chǔ)上，研究晶振外殼的側(cè)面撓曲缺陷，提出檢測(cè)側(cè)面撓曲缺陷的方法。