<一>、金屬外殼的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要求

TR組件目前常用的高功率發(fā)熱芯片主要有GaAs，GaN和LTCC，其中典型的整體金屬封裝外殼TR組件的幾乎都為封閉式盒體結(jié)構(gòu)。GaAs，GaN芯片直接或間接(有過渡層)焊接在殼體上，然后和印制板進(jìn)行鍵合，然后整個(gè)盒體進(jìn)行密封裝。

該種形式TR的氣密封裝形式簡(jiǎn)便，但是厚度受限，一般不低于5mm。我所目前常用微波、毫米波TR組件主要是Ku，K，Ka頻段，半波長(zhǎng)在5~11毫米。當(dāng)TR組件的厚度受限時(shí)，就采用局部氣密封裝的形式，將天線和TR做成LTCC然后將LTCC焊接在TR背板上，對(duì)LTCC進(jìn)行局部氣密封。

相控陣毫米波導(dǎo)引頭TR組件由于厚度受限，設(shè)計(jì)采用局部氣密封裝方式。相控陣毫米波導(dǎo)引頭天線的間距為9mm，TR組件封裝外殼典型結(jié)構(gòu)為間距9mm的磚式結(jié)構(gòu)。雙面焊接LTCC基板，單面焊接2片，該TR背板上要同時(shí)集成LTCC及收發(fā)電路，中間還有部分波導(dǎo)，尺寸小，器件集成度好，安裝定位要素多，精度要求高。該TR背板不僅是所有元器件的安裝載體，也是整個(gè)TR抵抗環(huán)境應(yīng)力破壞的基體，對(duì)設(shè)計(jì)該背板的材料除應(yīng)與LTCC進(jìn)行熱匹配外，還應(yīng)有足夠的強(qiáng)度抵抗沖擊、振動(dòng)等環(huán)境因素的破壞。

為了與芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配以減少工作時(shí)芯片受熱應(yīng)力破壞的可能，應(yīng)根據(jù)芯片的熱膨脹系數(shù)選擇與之相近的硅鋁合金復(fù)合材料，硅鋁合金復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)目前外洋有5，6，7，9，11，13，15，17等規(guī)格，國(guó)內(nèi)廠家的產(chǎn)品還不能全部覆蓋外洋的規(guī)格。由于加工性能和采購(gòu)周期的限制，結(jié)合對(duì)國(guó)內(nèi)相關(guān)使用情況的調(diào)研結(jié)果，對(duì)膨脹系數(shù)為9和11兩種規(guī)格的材料進(jìn)行了相關(guān)的驗(yàn)證。從試驗(yàn)結(jié)果來看，膨脹系數(shù)為9和11的硅鋁合金復(fù)合材料材料LTCC封裝的TR組件殼體的要求

除上述電路總體要求外，由于相控陣毫米波導(dǎo)引頭項(xiàng)目TR組件外殼采用新型封裝材料硅鋁合金復(fù)合材料為基體材料，因其高脆性特點(diǎn)，結(jié)合氣密封裝性與環(huán)境適應(yīng)性要求，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需保護(hù)其加工工藝性、鍍覆性能、焊接性能以及使用性能等。

<二>、微波器殼過程中如何解決毛刺問題

金屬材料在我們的生活中使用廣泛，各類金屬通過加工制作成不同的金屬產(chǎn)品。但是微波器殼過程中存在著一個(gè)難題，也就是毛刺問題。蝶形微波器外殼過程中的毛刺問題要如何解決呢？就為大家介紹幾個(gè)解決方法。

方法一、電解去毛刺電解去毛刺是利用電解作用去除金屬零件毛刺的一種電解加工方法。這種去毛刺的方法是借助電能、化學(xué)能溶解陽極來達(dá)到的。渦輪流量計(jì)零件與直流電影的正極相連為陽極，成形工具與直流電源的負(fù)極相連為陰極，兩極之間保持間隙，讓電解液循環(huán)流動(dòng)。缺點(diǎn)是零件毛刺的附近也受到電解作用，表面會(huì)失去原有光澤，甚至影響尺寸精度。

方法二、化學(xué)去毛刺化學(xué)去毛刺是利用化學(xué)能進(jìn)行加工，用化學(xué)方法先將毛刺變酥、變脆，再用其他方法去掉毛刺。將整理好的零件放入金屬溶液，零件表面金屬會(huì)以離子形式轉(zhuǎn)到溶液中。這些離子會(huì)附著在零件表面，形成電阻大、電導(dǎo)率小的膜層，保護(hù)工件不受到腐蝕，而毛刺由于高出表面，可以通過化學(xué)作用去除掉毛刺。這種去毛刺的方法被廣泛應(yīng)用于氣動(dòng)、液壓、工程機(jī)械等行業(yè)。對(duì)于難去除的內(nèi)部毛刺和熱處理后精加工的零件有很好的表現(xiàn)。

方法三、高溫去毛刺先將需要去毛刺的零件放入緊固的密封室內(nèi)，然后將其整體送入有確定壓力的氫氧混合氣體中，點(diǎn)火使混合氣體爆炸，放出熱量，將零件的毛刺燒掉，不會(huì)傷及零件。