晶振質(zhì)量的好壞直接影響到電路工作狀況，而晶振外殼品質(zhì)是影響晶振性能的主要因素之一。晶振外殼采用沖床連續(xù)沖壓成型，經(jīng)大量觀察和分析發(fā)現(xiàn)，主要缺陷有內(nèi)底面與頂面的凹坑、內(nèi)底面與頂面的劃痕，側(cè)面裂口和側(cè)面撓曲。側(cè)面撓曲嚴(yán)重同樣可以影響晶振的質(zhì)量，是指外殼主要側(cè)面不平行。  

論上這種側(cè)面的撓曲缺陷使得本來與光源平行的內(nèi)側(cè)面發(fā)生小角度傾斜，其在圖像上的突出表現(xiàn)是晶振外殼凸緣內(nèi)側(cè)邊緣變粗和不平行。  

晶體和晶振有哪些明顯的差異

1、晶體振蕩器的精度不錯于晶體諧振器，因此兩者論性能穩(wěn)定度，莫屬晶體振蕩器出眾。晶體振蕩器中的溫補(bǔ)振蕩器樶精度不錯可達(dá)到0.5ppm，晶體諧振器樶精度不錯只能做到5ppm，且為DIP封裝，D封裝樶精度不錯僅僅只有10PPM。

2、無疑，晶體振蕩器的成本高于晶體諧振器。

3、晶體振蕩器的厚度總是高于晶體諧振器。因?yàn)榫w振蕩器內(nèi)部直接置入起振芯片，無需外部元器件幫助起振，自身可以直接起振。

4、由于晶體振蕩器可以依靠自身起振，因此在電子行業(yè)歸類為主動元器件，而晶體諧振器需要依靠外部電容電阻起振，稱之為被動元器件。

5、晶體振蕩器種類復(fù)雜繁多，可分為以下幾種：普通振蕩器（SPXO）；溫補(bǔ)振蕩器（TCXO）；壓控振蕩器（VCXO），壓控溫補(bǔ)振蕩器（VC-TCXO）；恒溫振蕩器（OCXO）。而晶體諧振器只有一種，就是自身。

6，晶體與晶振弄混會導(dǎo)致哪些誤會。從上文的分析中我們可以得出結(jié)論，被動與主動的焊接電路是全部不同的，因晶體振蕩器無需外接電容，晶體諧振器需外接電容電阻，如若兩者混淆采購，電路將無法正常起振。